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[发明专利]一种光电子弛豫型薄膜晶体管-CN202211415496.X在审
发明人：刘川;郭敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电子弛豫型薄膜晶体管，包括衬底、绝缘层和有源层，有源层包括前沟道电子传输层和背沟道光电子弛豫层，前沟道电子传输层具有高电子迁移率特性，背沟道光电子弛豫层具有光生载流子快复合特性，前沟道电子传输层与绝缘层连接，背沟道光电子弛豫层与前沟道电子传输层连接。本发明使用双层结构的有源层，能够提供载流子从而提高迁移率，加快光生电子‑空穴对的弛豫效率，使得背沟道电子弛豫层中的电子和空穴可以马上复合，难以被捕获进入绝缘层，减轻阈值电压负漂等负面影响，提高薄膜晶体管的稳定性
一种光电子弛豫型薄膜晶体管

[发明专利]载流子浓度的测量方法及系统-CN201811421203.2有效
发明人：李登峰;孙方稳;陈向东;李燊 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种载流子浓度的测量方法及系统，其中，该测量方法包括：放置含有NV色心的金刚石与待测样品，使得金刚石中NV色心与待测样品的距离满足准静态近似的条件；测量金刚石中NV色心的自旋弛豫速率；以及基于金刚石中NV色心的自旋弛豫速率，并根据金刚石中NV色心自旋弛豫速率与载流子浓度的标定关系曲线得到待测样品的载流子浓度。该测量方法在测量的过程中可以实现非侵入性实时测量，不破坏待测样品的电学性能，不影响载流子的浓度和空间分布。
载流子浓度测量方法系统

[发明专利]800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜-CN200410046497.7无效
发明人：王勇刚;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用界于低温和常温之间温度生长的吸收区，非饱和损耗较小；该第一吸收区也兼作为载流子弛豫区；一盖层，该盖层制作在量子阱上，兼作第二吸收区，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道，作为载流子第二弛豫区。
800 nm 布拉格反射半导体饱和吸收

[发明专利]III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法-CN201080020695.X无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。
iii 氮化物半导体激光二极管制作方法

[发明专利]量子级联激光器-CN201580011072.9有效
发明人：薮原秀彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层，该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中，上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。
量子级联激光器

[发明专利]一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法-CN201410283265.7无效
发明人：卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法，包括：计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率，并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况；根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度，确定能量空间中没有被载流子占据的空位置数；根据确定的能量空间中没有被载流子占据的空位置数，确定载流子跃迁的距离；根据确定的载流子跃迁的距离计算有机半导体器件的电流密度，并以该电流密度来表征有机半导体器件的弛豫现象。本发明计算过程简单，可广泛应用于各种无序的半导体材料和器件，如有机半导体，非晶半导体等驰豫现象的表征。
一种表征有机半导体器件现象方法

[发明专利]可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法-CN201710257382.X有效
发明人：张露;尤立星;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明通过在超导纳米线单光子探测器件中集成石墨烯结构，由于石墨烯具有高热导率和超快的载流子弛豫过程，克服了以往超导材料能量弛豫能力不足的难题，加速超导纳米线单光子探测器件能量弛豫过程，从而降低了超导纳米线单光子探测器件的恢复时间
超导纳米线单光子探测器石墨烯能量弛豫恢复载流子弛豫超导材料高热导率结构结合能力不足制作

[发明专利]一种测量块体金属玻璃结构弛豫激活能的方法-CN201710523539.9有效
发明人：曹庆平;肖劲韬;蒋建中 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G01N33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量块体金属玻璃结构弛豫激活能的方法；其中包括块体金属玻璃结构弛豫行为的表征和弛豫激活能的测量。对块体金属玻璃结构弛豫行为的表征，包括块体金属玻璃样品的切割、研磨、抛光并在热膨胀仪内保温以测量样品在结构弛豫中的长度变化。结构弛豫激活能的测量方法包括对块体金属玻璃在等温结构弛豫中样品的长度变化曲线数据进行拟合处理，以及用不同等温温度下的准稳态弛豫速率来计算块体金属玻璃的弛豫结构激活能。本发明把块体金属玻璃样品放置在热膨胀仪中保温，有利于原位地观察其结构弛豫过程并能方便地计算其结构弛豫激活能，探究金属玻璃结构弛豫的内在机理。
一种测量块体金属玻璃结构激活方法

[发明专利]一种脉冲弛豫信号时域拐点提取方法-CN201310486085.4有效
发明人：田师一;兰余;吕佳佳;麦文镇;邓少平 -专利权人：浙江工商大学;海南椰岛（集团）股份有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：发明属于食品测量技术领域，公开了一种脉冲弛豫信号时域拐点提取方法，包括：对采集到的脉冲弛豫信号进行分段、平滑处理，去除噪音，重建信号，得到平滑后的脉冲弛豫信号；对平滑后的脉冲弛豫信号进行归一化，实现脉冲弛豫信号的预处理；对经过预处理的脉冲弛豫信号按照一定角度的旋转，得到旋转后的脉冲弛豫信号；找出经过旋转后脉冲弛豫信号的最大值，记录下脉冲弛豫信号最大值所在的位置；对旋转后的脉冲弛豫信号进行反旋转处理，得到新的脉冲弛豫信号
一种脉冲信号时域拐点提取方法

[发明专利]一种材料表面弛豫率的测试方法及装置-CN202210887065.7在审
发明人：应赛;杨培强;刘早;韩芊;陈登;张支立;焦永昶;周佳欣 -专利权人：苏州纽迈分析仪器股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种材料表面弛豫率的测试方法及装置，包括：先获取各个浓度的溶剂的第一弛豫率及各个悬浮液的第二弛豫率，基于第二弛豫率与第一弛豫率、悬浮液中样品颗粒的质量浓度，获取各个悬浮液中样品颗粒的束缚水弛豫系数；再基于各个悬浮液的束缚水弛豫系数及离子强度获取目标关系曲线，基于目标关系曲线的斜率与样品颗粒的水弛豫常数，确定目标悬浮液中样品颗粒的比表面积；最后基于该比表面积与束缚水弛豫系数，确定该目标悬浮液中样品颗粒的表面弛豫率解决了现有技术在确定材料表面弛豫率时需要引入其他手段确定比表面积，本申请无需引入其他测试手段，只利用核磁共振技术即可得到材料的表面弛豫率，提高测试效率。
一种材料表面弛豫率测试方法装置

[发明专利]核磁共振弛豫谱解谱方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202211131150.7在审
发明人：罗嗣慧;肖立志;金衍;廖广志;郭江峰;罗刚 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种核磁共振弛豫谱解谱方法、装置、计算机设备及存储介质,尤其涉及核磁共振技术领域。其中，核磁共振弛豫谱解谱方法包括：获取核磁共振数据，并基于核磁共振弛豫谱低秩性和稀疏性构建非负约束目标函数模型；将非负约束目标函数模型分解；得到弛豫谱核范数解、弛豫谱稀疏解和弛豫谱残差解；对非负约束目标函数模型进行迭代更新，确定最终解和与最终解对应的最终弛豫谱并输出。该核磁共振弛豫谱解谱方法通过在谱稀疏函数模型求解时利用弛豫谱的稀疏性控制弛豫谱的分辨率，在残差范数函数模型求解时利用残差项来控制图谱的精度，提高获得的最终弛豫谱的分辨率，从而解决了现有反演方法得到的弛豫谱分辨率较低的问题
核磁共振弛豫谱解谱方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]横向弛豫映射图的确定方法、装置以及磁共振成像设备-CN201811552828.2有效
发明人：刘楠 -专利权人：上海联影医疗科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01R33/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种横向弛豫映射图的确定方法、装置以及磁共振成像设备，一种横向弛豫映射图的确定方法，包括：获取多个回波信号；对所述多个回波信号进行加权拟合以计算横向弛豫映射图；基于所述横向弛豫映射图中每个拟合点的残差，更新所述横向弛豫映射图；在更新的所述横向弛豫映射图符合预设条件的情况下，得到目标横向弛豫映射图。上述方法将多个回波噪声进行加权拟合以计算横向弛豫映射图，通过减小噪声较大的回波信号的权重减少噪声的影响，并且通过计算每个拟合点的残差以排除拟合点的异常情况，进一步提升了横向弛豫映射图的计算精度。
横向映射确定方法装置以及磁共振成像设备

[发明专利]一种原子自旋惯性测量装置极化梯度弛豫测量方法-CN202210212290.0在审
发明人：王卓;袁琳琳;高航;范文峰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：一种原子自旋惯性测量装置极化梯度弛豫测量方法，通过以下步骤实现极化梯度弛豫测量，能够在原子自旋惯性测量装置中实现极化梯度的原位测量，为气室内部极化梯度的评估与抑制提供有力支撑：步骤1，固定原子自旋惯性测量装置的工作点参数以对角速率有响应信号；步骤2，碱金属电子自旋与惰性气体核自旋进动解耦；步骤3，利用自由进动衰减方法测试当前P1下的核自旋横向弛豫率R2；步骤4，测试核自旋横向弛豫中的非极化梯度弛豫项；步骤5，测试任意抽运激光功率点P的总横向弛豫，计算抽运激光功率点P的极化梯度弛豫，P点的极化梯度弛豫即为P点的总横向弛豫率与非极化梯度弛豫率的差值。
一种原子自旋惯性测量装置极化梯度测量方法

[发明专利]一种基于开关抽运光的核自旋横向弛豫率测量方法-CN202211130843.4在审
发明人：范文峰;袁琳琳;裴宏宇;王卓 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：一种基于开关抽运光的核自旋横向弛豫率测量方法，实现核自旋非极化梯度弛豫与极化梯度弛豫的分离测试。拟合各个时间点的核自旋进动幅值，即可得到当前工作状态下的核自旋横向弛豫率，通过优化测试参数(开光时间、开光间隔、抽运激光功率、Z向磁场Bz)，消除了抽运光对核自旋弛豫率的影响，开关抽运光测得的核自旋横向弛豫即为非极化梯度弛豫率将非极化梯度弛豫率与连续抽运状态下的核自旋横向弛豫率相减，可得到各个连续抽运激光功率点下的极化梯度弛豫率。
一种基于开关抽运自旋横向弛豫率测量方法

[发明专利]一种土体弛豫率获取方法-CN202010016547.6有效
发明人：田慧会;韦昌富 -专利权人：中国科学院武汉岩土力学研究所
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种土体弛豫率获取方法，属于岩土工程技术领域。所述土体弛豫率获取方法包括以下步骤：将土颗粒在蒸馏水中浸泡洗净后风干，得到土体；将土体制备成若干试样，若干试样的含水量均不相同；将若干试样放入核磁共振仪中，对若干试样施加序列，反演核磁原始数据，得到若干试样的孔隙水核磁弛豫时间分布曲线；在核磁弛豫时间分布曲线上找出峰点值，根据峰点值获取相对应试样的弛豫率；根据若干试样的弛豫率与若干试样的含水量，作出弛豫率‑含水量图，在弛豫率‑含水量图中找出直线段，并求出直线段弛豫率的平均值，平均值即为土样的最终弛豫率本发明土体弛豫率获取方法可以快速、直接的测试土体弛豫率，提高了测试效率。
一种土体弛豫率获取方法

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